摘要:化学机械抛光(CMP)是半导体制造中关键的平坦化工艺,而控制研磨液中的大颗粒计数(LPC)对确保晶圆表面质量和提高产品良率至关重要。随着工艺向更小纳米级发展,对LPC的检测精度要求更高。文章讨论了LPC检测的技术难点,包括高浓度样品干扰和大颗粒计数量化问题,并提出了自动稀释技术和高灵敏度的单颗粒光学传感技术(SPOS)作为解决方案。此外,文章还探讨了LPC对CMP工艺的影响,包括表面平整度、抛光速率和设备损耗,并提供了从原材料到CMP slurry制造端的整套LPC监控方案,以优化工艺参数和保证设备稳定运行。
关键词:大颗粒计数,LPC,化学机械抛光,研磨液,Slurry,